[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：在半导体晶片的上表面上形成第一半导体层并且在半导体晶片的下表面上形成极性与第一半导体层的极性不同的第二半导体层的工序；在第一半导体层的上表面上形成第一透明导电层而使第一半导体层的一部分暴露于外部并且在第二半导体层的下表面上形成第二透明导电层而使第二半导体层的一部分暴露于外部的工序；以及第一透明导电层和第二透明导电层中的至少一者上的等离子处理工序，其中，等离子处理工序包括除去第一半导体层的暴露于外部的部分和第二半导体层的暴露于外部的部分的工序。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，所述方法包括：在半导体晶片的上表面上形成第一半导体层并且在所述半导体晶片的下表面上形成极性与所述第一半导体层的极性不同的第二半导体层的工序；在所述第一半导体层的上表面上形成第一透明导电层而使所述第一半导体层的一部分暴露于外部并且在所述第二半导体层的下表面上形成第二透明导电层而使所述第二半导体层的一部分暴露于外部的工序；以及所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的至少一者上的等离子处理工序，其中，所述等离子处理工序包括除去所述第一半导体层的暴露于外部的部分和所述第二半导体层的暴露于外部的部分的工序。