[发明专利]微LED装置、显示设备及微LED制造方法在审
| 申请号： | 201780002168.8 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108886050A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;陈培炫;冯向旭 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管装置、显示设备以及用于制造微发光二极管装置的方法。所述微发光二极管装置包括：生长衬底；形成在所述生长衬底上的多个垂直微发光二极管；形成在每个垂直微发光二极管的顶部的第一类型电极；以及形成在每个垂直微发光二极管的侧表面上的第二类型电极。实施例可以简化制造。 | ||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 显示设备 垂直 电极 衬底 侧表面 生长 制造 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管装置，包括：生长衬底；形成在所述生长衬底上的多个垂直微发光二极管；形成在每个垂直微发光二极管的顶部的第一类型电极；以及形成在每个垂直微发光二极管的侧表面上的第二类型电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
