[发明专利]金属/半金属氧化物的还原有效
| 申请号： | 201780002189.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108698837B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 阿里·雷扎·卡马里 | 申请（专利权）人： | 东北大学;剑桥硅时代有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025;C01B33/023;B22F9/18;B22F9/20 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 粱焱 |
| 地址： | 110169 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及金属和/或半金属氧化物的还原。更具体地，本发明涉及一种适合于通过还原二氧化硅生产硅的方法和装置。本发明者已经确定，强氧化剂与还原剂之间的反应可以提供足够的能量来在相对低温(如低于580℃)下完成将二氧化硅金属热还原为硅，并且还原可以甚至在不在这样的最高温度下停留或停留最少时间的情况下进行。该方法可以是简单、快速并且有效的，而不产生温室气体。该方法还可以用于还原其它金属或半金属氧化物(如仅仅Ta |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 还原 | ||
【主权项】：
1.一种用于还原除钛以外的金属和/或半金属的一种氧化物或多种单一氧化物或混合氧化物的方法，其涉及在小于580℃的温度下使用强氧化剂或金属卤化物与还原剂之间的初始反应来实现所述氧化物的还原。
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