[发明专利]具有横向延伸的栅极电介质的高电压场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201780002979.8 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108811517B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | M.乔杜里;A.林;J.卡伊;张艳丽;J.阿尔斯梅尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体衬底的上部部分中提供具有均匀深度的沟槽。形成连续介电材料层，该连续介电材料层包含填充沟槽的整个体积的栅极电介质。栅电极形成在栅极电介质之上，使得栅电极上覆盖于栅电极的中心部分并且不上覆盖于位于栅极电介质的中心部分的相对侧上栅极电介质的第一外围部分和第二外围部分。在形成介电栅极间隔体之后，通过掺杂半导体衬底的相应的部分在半导体衬底内形成源极延伸区域和漏极延伸区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 延伸 栅极 电介质 电压 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：沟槽，位于半导体衬底的上部部分中；连续介电材料层，包含填充所述沟槽的整个体积的栅极电介质；栅电极，上覆盖于所述栅极电介质的中心部分，其中所述栅极电介质的第一外围部分和第二外围部分位于所述栅极电介质的中心部分的相对侧上，并且不具有与所述栅电极重叠的区域；源极延伸区域，位于所述半导体衬底内并且接触所述栅极电介质的第一外围部分的第一垂直侧壁；以及漏极延伸区域，位于所述半导体衬底内并且接触所述栅极电介质的第二外围部分的第二垂直侧壁。
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