[发明专利]绝缘栅型半导体装置以及绝缘栅型半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201780002996.1 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN108028646B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 增田晋一;吉渡新一;吉田健一;石田裕司 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H01L29/739;H01L29/78;H02M1/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
绝缘栅型半导体装置具备:半导体芯片(Q |
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搜索关键词: | 绝缘 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种绝缘栅型半导体装置,其特征在于,具备:绝缘栅型半导体元件,其包括半导体芯片;绝缘电路基板,其搭载所述半导体芯片,在该绝缘电路基板的周边具有第一外部端子和第二外部端子;主电流路径构件,其在所述绝缘电路基板上被图案化为俯视图案具有呈直线状延伸的部分,被设置为将所述第一外部端子与所述绝缘栅型半导体元件的主电极区之间连接,在该主电流路径构件中,所述绝缘栅型半导体元件的主电流朝向所述第一外部端子流动;以及栅极电流路径构件,其在所述绝缘电路基板上被图案化为俯视图案具有与所述主电流路径构件的呈直线状延伸的部分平行地配置的呈直线状延伸的部分,被设置为将所述第二外部端子与所述绝缘栅型半导体元件的栅极电极之间连接,在该栅极电流路径构件的平行地配置的所述部分,对所述主电流进行控制的栅极电流朝向与所述主电流相反的方向流动,其中,通过因所述主电流所生成的磁场的变化而产生的互感来在所述栅极电流路径构件中产生的电流用于增大所述绝缘栅型半导体元件导通时的所述栅极电流。
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