[发明专利]场效应管以及制造方法有效
| 申请号： | 201780003245.1 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109564921B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 肖祥;徐慧龙;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/00;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张耀光 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种场效应管以及制造方法，属于电子技术领域。场效应管包括：衬底层(201)；设置于衬底层(201)之上的第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)；覆盖于衬底层(201)和第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)之上的背栅绝缘层(204)；覆盖于背栅绝缘层(204)之上的半导体层(205)；覆盖于半导体层(205)之上的顶栅绝缘层(206)；设置于背栅绝缘层(204)之上的漏电极(207)和源电极(208)，漏电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第一边缘，源电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第二边缘；设置于顶栅绝缘层(206)之上的第一顶栅电极(209)和第二顶栅电极(210)，其中，漏电极(207)和第二顶栅电极(210)电连接。这种场效应管具有高峰值电流，芯片占用面积小，制造工艺复杂度低，可实现大面积、低成本制造。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
