[发明专利]隧穿场效应晶体管器件制造方法及隧穿场效应晶体管器件在审
| 申请号： | 201780003599.6 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109496363A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡皓程;杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张耀光 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种TFET器件制造方法及TFET器件，属于晶体管制造技术领域。该方法包括：在硅基材(21)上方形成主轴图案，主轴图案的材质为多晶硅(23)；形成围绕主轴图案的侧壁(251)；采用自对准工艺在硅基材(21)的第一区域形成第一电极，第一区域指未覆盖主轴图案和侧壁(251)的区域，第一电极为源极(91)或漏极(92)；采用自对准工艺在硅基材(21)的第二区域形成第二电极，第二区域指主轴图案对应的区域，第二电极为源极(91)或漏极(92)，且第二电极与所述第一电极不同；在侧壁(251)对应的区域形成栅极(93)。其实现了制造精准尺寸的TFET器件，并在增加TFET器件开态电流的同时，减小其漏电电流。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 硅基材 侧壁 隧穿场效应晶体管 自对准工艺 第二电极 第二区域 第一电极 第一区域 器件制造 漏极 源极 区域形成栅极 晶体管制造 开态电流 漏电电流 多晶硅 减小 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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