[发明专利]半导体加工用片有效

专利信息
申请号: 201780003861.7 申请日: 2017-01-05
公开(公告)号: CN108243616B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 佐藤明德;中村优智;山下茂之 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C09J7/20 分类号: C09J7/20;B32B27/00;H01L21/304
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体加工用片1,其至少具备:具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30,第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01~0.8μm,第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下,将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10~1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时,不容易发生粘连。
搜索关键词: 半导体 工用
【主权项】:
1.一种半导体加工用片,其至少具备:基材,其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面;半导体贴附层,其被层叠在所述基材的第二面侧,并在靠近所述基材的一侧具有第一面,在远离所述基材的一侧具有第二面;及剥离膜,其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧,并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面,在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面,其特征在于:所述基材的第一面的算术平均粗糙度Ra为0.01~0.8μm,所述剥离膜的第二面的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下,将所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面贴附且在40℃下保管3天后的、在所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面的界面上的剥离力β为10~1000mN/50mm。
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