[发明专利]Ti-Ta合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201780003924.9 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108291295B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 小田国博;宫田千荣 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C14/00;C22C27/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种Ti‑Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果：由于氧含量低且硬度低，因此容易进行加工并且具有良好的表面性状，因此，在溅射时能够抑制粉粒的产生。 | ||
| 搜索关键词： | ti ta 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ti‑Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。
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