[发明专利]具有多重类型腔室的积层蚀刻系统在审
| 申请号： | 201780003940.8 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108352317A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张郢;周清军;乔纳森·日格胡尔·金姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所描述的实施方式一般涉及基板处理系统，诸如蚀刻处理系统。在一个实施方式中，本文公开了一种基板处理系统。基板处理系统包含移送腔室和耦接至移送腔室的多个处理腔室。多个处理腔室包含第一处理腔室、第二处理腔室和第三处理腔室。第一处理腔室经构造以定向修改形成在基板上的膜堆叠的表面。第二处理腔室经构造以将蚀刻剂沉积至膜堆叠的表面上。第三处理腔室经构造以将膜堆叠暴露至高温升华工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 处理腔室 基板处理系统 膜堆叠 腔室 蚀刻处理系统 蚀刻系统 蚀刻剂 基板 积层 耦接 沉积 升华 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的处理系统，包括：移送腔室；和多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述移送腔室，所述多个处理腔室包括：第一处理腔室，所述第一处理腔室经构造以定向修改沉积在所述基板上的膜堆叠的表面；第二处理腔室，所述第二处理腔室经构造以将蚀刻剂沉积至所述膜堆叠的所述表面上；和第三处理腔室，所述第三处理腔室经构造以将所述膜堆叠暴露至高温升华工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
