[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装有效
| 申请号： | 201780004004.9 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109417110B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 白光善;罗钟浩;韩大燮;黄净铉 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/28;H01L33/06 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 在此公开一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、被布置在衬底上的第一导电型半导体层、被布置在第一导电型半导体层上的有源层以及被布置在有源层上的第二导电型半导体层。第一导电型半导体层包括具有不同的铟(In)组成比的第一层、第二层和第三层。第一半导体层被布置为靠近有源层。第二半导体层被布置在第一半导体层下面。第三半导体层被布置在第二半导体层下面。In含量从有源层到第三半导体层减少，并且第三半导体层的In含量可以是有源层的In含量的5％或以上至10％或以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被布置在所述衬底上方；有源层，所述有源层被布置在所述第一导电型半导体层上方；以及第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层被布置在所述有源层上方，其中，所述第一导电型半导体层包括具有不同的铟(In)组成比的第一层、第二层和第三层，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SIMS)测量所述第一导电型半导体层和所述有源层时，铟(In)离子的标准化二次离子的强度包括多个拐点，所述拐点包括出现在所述有源层中的第一高点和第一低点、出现在所述第一层中的第二高点和第二低点、出现在所述第二层中的第三高点和第三低点以及出现在所述第三层中的第四高点和第四低点，所述第一高点高于所述第二高点，所述第二高点高于所述第三高点，以及所述第三高点高于所述第四高点。
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