[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780004060.2 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108352359B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 和田真一郎;池个谷克己 | 申请（专利权）人： | 日立安斯泰莫株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/336;H01L21/76;H01L27/04;H01L27/12;H01L29/786;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能够提高低侧晶体管的放热性并且抑制高侧晶体管的基板偏置效应的半导体装置。高侧NMOS晶体管(101)形成于SOI基板(30)的表面区域(S1)。沟槽(41)围绕高侧NMOS晶体管(101)。SiO |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，特征在于，具有：半导体基板、在所述半导体基板的表面的第一区域形成的高侧晶体管、围绕所述高侧晶体管的沟道、填埋沟道的第一绝缘体、以及在所述沟道的周围的所述半导体基板的表面的第二区域形成的低侧晶体管，连接形成所述低侧晶体管的所述第二区域和所述半导体基板的背面的侧面露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
