[发明专利]用于场效应晶体管的经组合源极与基极触点在审
| 申请号： | 201780004314.0 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108369955A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·迪克斯;丹·格里姆 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。本发明的教示可以金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET及其制造方法来体现。一些实施例可包含：在外延层内形成基极；植入延伸到所述基极中的源极植入物，其中所述外延层、所述基极及所述源极植入物形成连续平面表面；在所述连续平面表面上沉积绝缘层，形成与所述外延层及所述基极两者接触的栅极；穿过所述绝缘层打通触点凹槽以暴露所述源极植入物的中心部分；在所述绝缘层的顶部上所述源极植入物的经暴露部分上方沉积一层光致抗蚀剂；在所述光致抗蚀剂中图案化出一组条带，每一条带垂直于所述触点凹槽；用对所述绝缘层具选择性的蚀刻化学品蚀刻半导体；及用导电材料填充所述触点凹槽，形成基极‑源极触点凹槽，所述基极‑源极触点凹槽穿过所述绝缘层到达所述源极植入物的表面且包括彼此间隔开、穿过所述源极植入物到达所述基极中的多个区段。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 绝缘层 植入物 触点 外延层 蚀刻 光致抗蚀剂 连续平面 源极触点 穿过 沉积 条带 金属氧化物半导体场效应晶体管 场效应晶体管 导电材料填充 半导体装置 化学品 图案化 暴露 植入 半导体 垂直 打通 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有晶体管单元的场效应晶体管的方法，所述方法包括：在外延层内沉积基极；植入延伸到所述基极中的源极植入物；其中所述外延层、所述基极及所述源极植入物形成连续平面表面；在所述连续平面表面上沉积绝缘层，形成与所述外延层及所述基极两者接触的栅极；穿过所述绝缘层打通触点凹槽以暴露所述源极植入物的中心部分；在所述绝缘层的顶部上所述源极植入物的经暴露部分上方沉积一层光致抗蚀剂；在所述光致抗蚀剂中图案化出一组条带，每一条带垂直于所述触点凹槽；用对所述绝缘层具选择性的蚀刻化学品蚀刻所述组条带；及用导电材料填充所述触点凹槽，形成基极‑源极触点凹槽，所述基极‑源极触点凹槽穿过所述绝缘层到达所述源极植入物的表面且包括彼此间隔开、穿过所述源极植入物到达所述基极中的多个区段。
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