[发明专利]在利用负性光致抗蚀剂的图案化工艺中LWR改善方法与组合物在审
| 申请号： | 201780005284.5 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108475021A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 | 申请（专利权）人： | 荣昌化学制品株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体制造工艺中利用负性光致抗蚀剂的光致抗蚀剂图案的LWR(Line Width Roughness，线宽粗糙度)改善方法，更详细地说目的在于，为了在负性显影工艺之后确保更高的图案CDU，提供能够改善LWR的组合物与适用方法来改善LWR，进而能够提供比现有的更加优秀的CDU。 | ||
| 搜索关键词： | 负性光致抗蚀剂 半导体制造工艺 光致抗蚀剂图案 图案化工艺 线宽粗糙度 显影工艺 负性 图案 | ||
【主权项】：
1.一种图案的LWR改善用组合物，其特征在于，包含：1至98重量％的负性光致抗蚀剂图案的膨胀物质、1至98重量％的溶剂、0.01至1重量％的表面活性剂。
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