[发明专利]碳化硅半导体装置

摘要

在边缘终端区，以围绕有源区的周围的同心圆形的方式设有第一～第三电场缓和层(11～13)。在相邻的第一～第三电场缓和层之间，以及在与第三电场缓和层(13)相比靠外侧，分别设有p型的第一～第三空间调制区域(21～23)。各空间调制区域是从内侧起使低浓度小区域(32)和高浓度小区域(31)以围绕内侧的电场缓和层的周围的同心圆形的方式交替反复配置而成。第一～第三空间调制区域的长度(Lb1～Lb3)被设定为满足Lb1≤Lb2＜Lb3的尺寸。第一～第三电场缓和层的长度(La1～La3)被设定为满足La1＜La2＜La3的尺寸。第一～第三电场缓和层(11～13)的长度(La1～La3)的增加的常量(α)可以为固定。由此，能够维持边缘长和耐压并且降低表面保护膜的表面的电场强度。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板，其由碳化硅构成；有源区，其设置在所述半导体基板的正面，供主电流流过；多个第二导电型半导体区域，其以围绕所述有源区的周围的同心圆形的方式并且以越配置在外侧杂质浓度越低的方式选择性地设置；第二导电型的第一中间区域，其设置在相邻的所述第二导电型半导体区域之间，并与相邻的所述第二导电型半导体区域分别相互接触，并且所述第一中间区域的杂质浓度比与所述第一中间区域的内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度低，比与所述第一中间区域的外侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度高；以及第二导电型的第二中间区域，其设置为与最外侧的所述第二导电型半导体区域相比更靠外侧，并与该第二导电型半导体区域接触，并且所述第二中间区域的杂质浓度比与所述第二中间区域的内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度低，比所述半导体基板的杂质浓度高，所述第一中间区域和所述第二中间区域分别以围绕在内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的周围的同心圆形的方式从内侧起使第二导电型的第一小区域、和杂质浓度比所述第一小区域的杂质浓度高的第二导电型的第二小区域交替反复配置而成，所述第二中间区域的长度大于所述第一中间区域的长度。