[发明专利]用于高通量电子束设备的散热消隐系统在审
申请号: | 201780005788.7 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN108431939A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 姜辛容;C·西尔斯;D·拉森 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G03F1/86;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种电子束设备,其通过使热量均匀扩散于孔径光阑上来解决由高功率热量消散到孔径光阑上所导致的消隐问题。所述设备可包含孔径光阑及使电子束偏转到所述孔径光阑上的偏转器。电子束以围绕孔径的图案导引到所述孔径光阑处。所述图案可为圆形、正方形或多边形。所述图案也可包含相对于孔径的可变轨迹。 | ||
搜索关键词: | 孔径光阑 电子束设备 图案 电子束 电子束偏转 可变轨迹 热量均匀 热量消散 消隐系统 导引到 高功率 高通量 偏转器 散热 消隐 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种电子束设备,其包括:孔径光阑,其定义投射电子束穿过的孔径;透镜,其经配置以使所述电子束朝向所述孔径聚焦;偏转器,其经配置以使所述电子束偏转到所述孔径光阑上,其中所述偏转器包含多个板;及多个电力供应模块,其中所述电力供应模块经配置以偏置所述板,使得所述电子束以围绕整个所述孔径的图案导引到所述孔径光阑处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780005788.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用图像重建以用于缺陷检测的系统及方法
- 下一篇:减小的线数量的加热器阵列块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造