[发明专利]半导体器件栅极叠层在审
| 申请号： | 201780006616.1 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108604595A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 鲍如强;S·克瑞什南;权彦五;V·纳拉亚南 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的栅极叠层的方法，包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成阻挡层；在阻挡层上方形成第一栅金属层；在第一栅极金属层上方形成覆盖层；去除阻挡层、第一栅极金属层和覆盖层的一部分以暴露栅极堆叠的p型场效应晶体管(pFET)区域中的第一介电层的一部分，在覆盖层和第一介电层的暴露部分之上沉积第一氮化物层；在第一氮化物层之上沉积清除层；在清除层之上沉积第二氮化物层；以及在第二氮化物层之上沉积栅极电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物层 介电层 覆盖层 阻挡层 沉积 半导体器件 栅极金属层 栅极叠层 清除层 沉积栅极电极 栅极堆叠 栅金属层 沟道区 暴露 去除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的栅极叠层的方法，所述方法包括：在所述器件的沟道区上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成阻挡层；在所述阻挡层上方形成第一栅极金属层；在所述第一栅极金属层上方形成覆盖层；去除所述阻挡层，所述第一栅极金属层和所述覆盖层的部分以暴露所述栅极堆叠的p型场效应晶体管(pFET)区域中的所述第一介电层的一部分；在所述覆盖层和所述第一介电层的暴露部分之上沉积第一氮化物层；在所述第一氮化物层之上沉积清除层；在所述清除层之上沉积第二氮化物层；以及在所述第二氮化物层上沉积栅极电极材料。
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