[发明专利]具有AL(1-X) 有效
| 申请号： | 201780006717.9 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN108604597B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德;伍墨;吉川俊英;乌梅什·米什拉;刘翔;大卫·迈克尔·罗兹;约翰·柯克·格里特尔斯;拉柯许·K·拉尔 | 申请（专利权）人： | 创世舫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/51;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种晶体管，包括：III‑N沟道层；在所述III‑N沟道层上的III‑N势垒层；源极接触和漏极接触，所述源极接触和所述漏极接触电耦合至所述III‑N沟道层；在所述III‑N势垒层上的绝缘体层；部分地在所述绝缘体层上并且部分地在所述III‑N沟道层上的栅极绝缘体，所述栅极绝缘体包括非晶态Al |
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| 搜索关键词： | 具有 al base sub | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：III‑N沟道层；在所述III‑N沟道层上的III‑N势垒层；源极接触和漏极接触，所述源极接触和所述漏极接触电耦合至所述III‑N沟道层；在所述III‑N势垒层上的绝缘体层；部分地在所述绝缘体层上并且部分地在所述III‑N沟道层上的栅极绝缘体，所述栅极绝缘体包括非晶态Al1‑xSixO层，其中，0.2＜x＜0.8；以及在所述栅极绝缘体上方的栅极电极，所述栅极电极位于所述源极接触与所述漏极接触之间。
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