[发明专利]载置构件在审
| 申请号： | 201780006720.0 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108463878A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 增田将太郎;市川智昭;前野洋平 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B65G49/07;C01B32/152;C01B32/158;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供抓持力(gripping force)及耐热性优异、并且低起尘性优异、不易污染被载置物的载置构件。本发明的载置构件为载置面由碳纳米管的集合体构成的载置构件，在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式放置该载置构件，从该载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒的数量为100个/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 载置构件 硅晶圆 碳纳米管集合体 耐热性 方式放置 碳纳米管 侧表面 低起尘 集合体 载置面 载置物 抓持力 转印 施加 污染 | ||
【主权项】：
1.一种载置构件，其中，载置面由碳纳米管的集合体构成，在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式放置该载置构件，从该载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒的数量为9000个/cm2以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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