[发明专利]光学元件在审
| 申请号： | 201780007140.3 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108474871A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 山口辽太;大久保总一郎 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B1/14 | 分类号： | G02B1/14;B32B7/02;B32B9/00;B32B27/00;C03C17/34;C04B35/547;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;张珂珂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明一个实施方案的光学元件包括：透光性基材；堆叠在所述基材的入射面和出射面中的至少一者上的一个或多个中间层；以及堆叠在所述一个或多个中间层的最外层上的表面层，所述表面层含有类金刚石碳作为主要成分。所述一个或多个中间层中的至少一个中间层含有硅作为主要成分，并且含有硅作为主要成分的所述中间层的氧含量为10原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 中间层 光学元件 表面层 堆叠 类金刚石碳 透光性基材 出射面 入射面 最外层 基材 | ||
【主权项】：
1.一种光学元件，其包括：透光性基材；堆叠在所述基材的入射面和出射面中的至少一者上的一个或多个中间层；以及堆叠在所述一个或多个中间层的最外层上的表面层，所述表面层含有类金刚石碳作为主要成分，其中所述一个或多个中间层中的至少一个中间层含有硅作为主要成分，并且含有硅作为主要成分的所述中间层的氧含量为10原子％以下。
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