[发明专利]使用氮化钛作为反电极有效
| 申请号： | 201780007509.0 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108474785B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | M.瓦尔格伦;R.A.袁;J.B.韦吉托维奇;J.福斯特;J.科马迪纳 | 申请（专利权）人： | 豪夫迈·罗氏有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/487 | 分类号： | G01N33/487 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;申屠伟进 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 纳米孔单元包括被配置成处于第一电位的氮化钛（TiN）反电极。纳米孔单元还包括被配置成处于第二电位的工作电极和绝缘壁。绝缘壁和工作电极形成凹坑的至少一部分，该凹坑被配置为包含处于一电压的电解质，该电压是氮化钛反电极的第一电位与工作电极的第二电位之间的电位差的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氮化 作为 电极 | ||
【主权项】：
1.一种纳米孔单元，包括：氮化钛（TiN）反电极，被配置为处于第一电位；工作电极，被配置为处于第二电位；和绝缘壁，其中所述绝缘壁和所述工作电极形成凹坑的至少一部分，所述凹坑被配置为包含处于一电压的电解质，所述电压是所述氮化钛反电极的第一电位与所述工作电极的第二电位之间的电位差的至少一部分。
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