[发明专利]反射式光学元件和EUV光刻的光学系统有效
| 申请号： | 201780007834.7 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108496116B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | C.诺特伯姆 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/24;G21K1/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了还促进相对较大入射角范围或波长范围内的高反射率，提出了极紫外波长范围的反射式光学元件，所述反射式光学元件包括在基板上的区域之上延伸的多层系统，其中该多层系统包括在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料构成的层(54，55’)，所述材料交替地布置，其中至少两个材料中的一个的层形成堆叠体，其中所述层或者在所述层和相同材料的最近层之间布置的各层的距基板渐增距离，其中在至少一个堆叠体(53’)中，具有较低折射率实部的层(55’)的材料和/或具有较高折射率实部的层(54)的材料是至少两个物质制成的组合(551、552)，与多层系统(51)的剩余区域(61、61”)中相比，至少一个部分区域(61’)中该层(55’)中的其相应的成分是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 光学 元件 euv 光刻 光学系统 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外波长范围的反射式光学元件，具有在基板上的表面之上延伸的多层系统，其中所述多层系统具有来自交替的在所述极紫外波长范围中的波长处具有不同的折射率实部的至少两个不同材料的层，其中所述至少两个材料中的一个的层形成堆叠体，其中所述层或在所述层和最靠近的相同材料的层之间布置的各层距所述基板渐增的距离，其特征在于，在至少一个堆叠体(53’、53”)中，具有较低折射率实部的层(55’)的材料和/或具有较高折射率实部的层(54’)的材料是至少两个物质的组合，至少一个部分表面(61’、61”)之上的该层(55’、54’)中所述至少两种物质的相应比例不同于其在所述多层系统(51)的剩余表面(61)之上的相应比例。
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