[发明专利]氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780008097.2 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108495831B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 今村寿之;藤田卓;加贺洋一郎;手岛博幸;滨吉繁幸 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;C04B35/587;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm |
||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 基板片 回路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅烧结基板，其特征在于：具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面，所述主面的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，所述主面的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780008097.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蜂窝结构体的制造方法
- 下一篇：来自重质物脱除塔的溶剂再循环
