[发明专利]转换元件和具有这种转换元件的发射辐射的半导体器件有效
| 申请号： | 201780008191.8 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108604623B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·莱夫勒;亚当·鲍尔;马蒂亚斯·彼得;迈克尔·宾德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种转换元件(1)，所述转换元件具有：有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在转换元件(1)的上侧(1a)上；和多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在有源区域(13)的背离多个第一结构元件(14)的侧上。此外，提出一种用于制造这种转换元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 元件 具有 这种 发射 辐射 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种转换元件(1)，所述转换元件具有：‑有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；‑多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在所述转换元件(1)的上侧(1a)上；和‑多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在所述有源区域(13)的背离所述多个第一结构元件(14)的侧上。
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