[发明专利]集成MEMS换能器在审
| 申请号： | 201780008749.2 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108602666A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | T·胡克斯特拉 | 申请（专利权）人： | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;关丽丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MEMS换能器封装件(300)，包括：一个封装盖(313)，包括第一接合区域(316)；以及一个集成电路裸片(309)，包括一个用于与所述封装盖的第一接合区域接合的第二接合区域(314)。所述集成电路裸片(309)包括：一个集成MEMS换能器(311)；以及，与所述集成MEMS换能器电气连接的集成电子电路(312)。所述集成电子电路(312)的占地面积至少与所述集成电路裸片(309)的接合区域(314)重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 接合区域 集成电路裸片 集成电子电路 封装盖 电气连接 接合 封装件 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS换能器封装件(300)，包括：一个封装盖(313)；以及一个集成电路裸片(309)，包括一个用于与所述封装盖接合的接合区域(314)，所述集成电路裸片(309)包括：一个集成MEMS换能器(311)；以及与所述集成MEMS换能器电气连接的集成电子电路(312)；其中所述集成电子电路(312)的占地面积至少与所述集成电路裸片(309)的接合区域(314)重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思睿逻辑国际半导体有限公司，未经思睿逻辑国际半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780008749.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
