[发明专利]磁场形成装置以及受电装置有效
| 申请号： | 201780008833.4 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108604831B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 武南松;畑中武蔵;末吉太树;井上真弥;津田尚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H02J50/40 | 分类号： | H02J50/40;H01F38/14;H02J50/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在规定区域形成磁场。在规定区域产生变动磁场的磁场形成装置具有产生变动磁场的多个送电谐振器。送电谐振器全部被配置成线圈面与规定区域相向，至少一个送电谐振器被配置成具有与其它送电谐振器的线圈面方向交叉的线圈面方向。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 形成 装置 以及 | ||
【主权项】：
1.一种磁场形成装置，在规定区域产生变动磁场，该磁场形成装置的特征在于，具有产生所述变动磁场的多个送电谐振器，所述送电谐振器全部被配置成线圈面与所述规定区域相向，至少一个所述送电谐振器被配置成具有与其它所述送电谐振器的线圈面方向交叉的线圈面方向。
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