[发明专利]具有嵌入式镜面的工程衬底有效
| 申请号： | 201780009220.2 | 申请日： | 2017-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN108604613B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·圭奥特;A·图辛;T·辛格纳马切克斯;E·拉古特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;C30B33/06;H01L21/20;H01L21/203;H01L31/18;H01L31/056;H01L31/054;H01L31/043 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;武胐 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
工程衬底包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层；在种子层上的第一键合层；由第二半导体材料制成的支持衬底；在支持衬底的第一侧上的第二键合层；第一和第二键合层之间的键合界面；第一和第二键合层各自由金属材料制成；其中，选择工程衬底的掺杂浓度和厚度，特别是种子层、支持衬底以及第一和第二键合层的掺杂浓度和厚度，使得种子层的吸收小于20％，优选小于10％，并且工程衬底的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·cm |
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| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 工程 衬底 | ||
【主权项】：
1.工程衬底(101,103)，其包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层(3)；在所述种子层(3)上的第一键合层(4A)；由第二半导体材料制成的支持衬底(5)；在所述支持衬底(5)的第一侧上的第二键合层(4B)；第一和第二键合层(4A,4B)之间的键合界面(4)；第一和第二键合层(4A,4B)各自由金属材料制成；其中，所述半导体材料的掺杂浓度和所述工程衬底(101,103)的各层的厚度，特别是所述种子层、所述支持衬底以及第一和第二键合层的厚度，被选择成使得所述种子层(3)的吸收小于20％、优选小于10％，并且所述工程衬底(101,103)的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·cm2、优选小于5mOhm·cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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