[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法和氮化物半导体紫外线发光元件有效
| 申请号： | 201780009804.X | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109791962B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 平野光;长泽阳祐 | 申请（专利权）人： | 创光科学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氮化物半导体紫外线发光元件1具备蓝宝石基板10以及在基板10的主面101上形成的元件结构部20。基板10中，在从主面101起至第一距离为止的第一部分110中，与主面101平行的截面的截面积随着远离主面101而连续增加，在从主面101的相反侧起至第二距离为止的第二部分120中，与主面101平行的截面的截面积随着远离主面101的相反侧而连续增加。第一距离与上述第二距离之和为基板10的厚度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 紫外线 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，其特征在于，其具备基板加工工序：对于具备蓝宝石基板和元件结构部的芯片，将所述基板进行研削加工，所述元件结构部具有在该基板的主面上层叠的多个AlGaN系半导体层，且通过通电而射出发光中心波长为365nm以下的光，所述基板加工工序是至少对所述主面的四个角和背面的四个角分别进行研削加工的工序，所述背面是所述主面的相反侧的面。
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