[发明专利]陶瓷基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201780010364.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108605417A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 伊藤博之;伊藤进朗 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;C04B35/195;C04B37/00;H01L23/12;H01L23/13;H05K1/03 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明着眼于机械强度、热传导性等高的氮化硅基板，提供一种发挥其特性、并且能够提高陶瓷层与氮化硅基板的接合性的陶瓷基板以及其制造方法，前述陶瓷层使用能同时与低熔点金属Ag、Cu等低电阻的导体材料烧结的电介质陶瓷。本发明的陶瓷基板是由氮化硅基板和陶瓷层层叠并接合而成的陶瓷基板，并且所述陶瓷层是由电介质陶瓷形成的，前述电介质陶瓷作为主成分含有Mg、Al以及Si，作为副成分含有Bi或B，前述陶瓷层在与前述氮化硅基板的接合界面处具有Si元素浓度高的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅基板 陶瓷基板 陶瓷层 电介质陶瓷 低熔点金属 导体材料 接合界面 热传导性 接合 烧结 低电阻 接合性 等高 制造 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷基板，其是由氮化硅基板和陶瓷层层叠并接合而成的陶瓷基板，并且所述陶瓷层是由电介质陶瓷形成的，其中，所述电介质陶瓷作为主成分含有Mg、Al以及Si，并且作为副成分含有Bi或B，所述陶瓷层在与所述氮化硅基板的接合界面处具有Si元素浓度高的区域。
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