[发明专利]声吸收器、吸声壁以及设计和生产方法

摘要

本发明涉及一种无源声吸收器(3、6、7、8)，其包括经由输入方向(D3)向外部开口的腔(30、80)，以形成用于第一频率的亥姆霍兹谐振器。根据本发明，所述吸收器还包括至少一个移动元件或晶片(32、62、72、72')，所述移动元件或晶片以非密封方式由悬架(33、43、6140)悬挂或保持在阻挡所述颈部的位置。确定悬架和晶片的相对刚度，使得组件在以不同于第一频率的第二频率的“活塞”运动的振动中谐振，从而实现对该第二频率或频率范围的吸收。混合型包括线圈(324)，其被控制以调节吸收器的声阻抗。本发明提出了一种包括多个这样的吸收器的吸声壁，这些吸收器由通过穿孔开口的重复结构制成，每个穿孔接收这样的晶片，本发明还提出了设计和制造这种吸收器或壁的方法。

主权项

1.一种声吸收装置(3、4、6、7、8)，特别是无源吸收器，包括限定腔(30、80)的外壳(37、38、39、87、88、89)，该腔通过穿过具有确定的厚度的前壁(37)的至少一个孔向外开放到入口方向(D3)，从而形成具有确定的开口表面(A31)和确定的长度(L31)的颈部(31、41、61、71、81)，所述外壳和所述颈部的尺寸被确定为一起形成用于第一频率或频率范围的亥姆霍兹谐振器，该第一频率或频率范围称为固有频率，其特征在于，所述装置包括至少一个移动元件或晶片(32、42、62、72a、72b、92a、92b)，通过一个或更多个机械连接件或悬架(33、43、6140、83、931a、931b)在部分地阻挡所述至少一个颈部的位置处悬挂于所述外壳，即在其全部或部分行程上未密封；并且其中，所述悬架的刚度和所述晶片的刚度是结合确定的，尤其是以比值的方式确定，使得所述晶片沿着入射波(D3)的方向以“活塞”型谐振模式在不同于所述第一频率、特别是更低的第二频率或频率范围内振动，从而实现对该第二频率或频率范围的吸收。