[发明专利]硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体有效
| 申请号： | 201780010390.2 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108780772B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴宝全;龙卫;柳玉平 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种硅通孔芯片的二次封装方法及硅通孔芯片的二次封装体。硅通孔芯片(1)具有相对的正向表面(11)与反向表面(12)，反向表面(12)上设置有焊球阵列封装BGA锡球(2)，硅通孔芯片(1)的二次封装方法包括：将至少一硅通孔芯片(1)放置在铺设有释放应力膜层(3)的底座(41)上；使用软化的塑封胶(5)包覆硅通孔芯片(1)；待塑封胶(5)固化后去除底座(41)，以获取硅通孔芯片(1)的二次封装体；对二次封装体的表面进行处理，以露出BGA锡球(2)。在二次封装中无需使用基板作为载体，在保证硅通孔芯片(1)具有较高机械结构强度的基础上，降低了二次封装体的厚度，有利于电子产品的薄型化和小型化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 芯片 二次 封装 方法 及其 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
