[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780010422.9 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108604768B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 上田直人;大森弘治;吉田隆幸 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的半导体激光器装置(1)具有：散热器(20)、基座(30)、第一电极(60)、绝缘层(70)、半导体激光器元件(40)、连接部(50)以及第二电极(61)。基座(30)设置在散热器(20)的上表面的第一区域(R1)上，且是导电性的。第一电极(60)设置在散热器(20)的上表面且不同于第一区域(R1)的第二区域(R2)上，且是导电性的。第一电极(60)至少与基座(30)的侧面的一部分电连接或者与基座(30)的上表面电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，具备：绝缘性的散热器，具有在内部通过冷却介质的流路；导电性的基座，设置在所述散热器的上表面的第一区域上；导电性的第一电极，设置在所述散热器的上表面且不同于所述第一区域的第二区域上；绝缘性的绝缘层，设置在所述第一电极上；半导体激光器元件，设置在所述基座的上表面的第三区域上，且输出激光；导电性的连接部，设置在所述半导体激光器元件上；以及导电性的第二电极，设置在所述绝缘层以及所述连接部上，所述第一电极至少与所述基座的侧面的一部分电连接或者与所述基座的上表面且不同于所述第三区域的第四区域电连接。
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