[发明专利]层结构竖直场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201780010544.8 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108780811B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 姜全忠 | 申请（专利权）人： | 姜全忠 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/338;H01L21/02;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 英国沃里*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 层结构III族氮化物竖直场效应晶体管，包括：基板；覆盖所述基板具有窗口,且用于部分暴露所述基板的掩膜层；在所述基板上从所述掩膜层的窗口外延生长出来的漏区；外延生长在所述漏区顶表面上的绝缘层；外延生长在所述绝缘层顶面上的源区；和外延生长在所述漏区，绝缘层和源区的侧面上的竖直氮化物叠层，它被置于所述掩膜层的上方，提供连接所述源区和所述漏区的导电通道。在所述竖直氮化物叠层的侧面施加电压，调制从所述源区到所述漏区的电流。还有所需的电极和边缘项。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 竖直 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物竖直场效应晶体管，包括：基板；掩膜层，覆盖所述基板并具有用于部分暴露所述基板的开口窗口；在所述的基板上，从所述生长掩膜的窗口外延生长出来的漏区，所述的漏区具有一个顶面和一个侧面；外延生长在所述漏区顶表面上的绝缘层，所述绝缘层具有一个顶面和一个侧面；外延生长在所述绝缘层顶面上的源区，所述源区具有一个顶面和一个侧面；外延生长在所述漏区，绝缘层和源区的侧面上的竖直氮化物叠层，置于所述掩膜层的上方，该叠层提供连接所述源区和所述漏区的导电通道。
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