[发明专利]具有泄漏补偿的存储器电路有效
| 申请号： | 201780010786.7 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108701483B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | S·K·海因里希-巴纳;R·S·劳 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包括字线和位线的存储器阵列中，存储器阵列的多个存储器单元中的每个具有连接到位线的第一端子和在第一端子与相应的第二端子之间的电流路径。多个存储器单元中的第一存储器单元(400,402)具有第二端子，其经耦合以在被字线选择时接收第一电源电压(Vss)。多个存储器单元中的第二存储器单元(404,406)具有第二端子，其经耦合以在第一存储器单元(400,402)被字线选择时接收与第一电源电压不同的电压(Vdd‑Vtn)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 泄漏 补偿 存储器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列，包括：字线；位线；多个存储器单元，其中每个存储器单元具有连接到所述位线的第一端子和在所述第一端子与相应的第二端子之间的电流路径；所述多个存储器单元中的第一存储器单元，其具有所述第二端子，所述第二端子经耦合以在被所述字线选择时接收第一电源电压；和所述多个存储器单元中的第二存储器单元，其具有所述第二端子，所述第二端子经耦合以在所述第一存储器单元被所述字线选择时接收与所述第一电源电压不同的电压。
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