[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置包括：第一层间膜(2)、第一金属布线(3)、第二层间膜(5)、第二金属布线(11)、第一通孔塞(10)、着陆垫(12)以及第二通孔塞(25)。第一层间膜(2)形成在衬底(1)的上表面上；第一通孔塞(10)将第一金属布线(3)和第二金属布线(11)电连接起来，着陆垫(12)被埋入第一层间膜(2)的上部内且贯穿第二层间膜(5)，第二通孔塞(25)从衬底(1)的背面一侧贯穿衬底(1)和第一层间膜(2)且与着陆垫(12)相连接。着陆垫(12)的下表面的位置与第一金属布线(3)的下表面的位置不同。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：其包括衬底、第一层间膜、第一金属布线、第二层间膜、第二金属布线、第一通孔塞、着陆垫以及第二通孔塞，所述衬底具有第一区域和第二区域，所述第一层间膜形成在所述衬底的上表面上，在所述第一区域，所述第一金属布线被埋入所述第一层间膜的上部内，所述第二层间膜形成在所述第一层间膜上和所述第一金属布线上，在所述第一区域，所述第二金属布线被埋入所述第二层间膜的上部内，所述第一通孔塞贯穿所述第二层间膜，将所述第一金属布线和所述第二金属布线电连接起来，在所述第二区域，所述着陆垫被埋入所述第一层间膜的上部内且贯穿所述第二层间膜，在所述第二区域，所述第二通孔塞从所述衬底的背面一侧贯穿所述衬底和所述第一层间膜且与所述着陆垫相连接，所述着陆垫的下表面的位置与所述第一金属布线的下表面的位置不同。