[发明专利]用于宽带隙半导体功率器件的原位掺杂的半导体栅电极的系统和方法有效
| 申请号： | 201780011738.X | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108701711B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | T·B·格尔济卡 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种宽带隙半导体功率器件包括：宽带隙半导体衬底层；设置在所述宽带隙半导体衬底层上的外延半导体层；直接设置在所述外延半导体层的一部分上的栅极介电层；以及直接设置在所述栅极介电层上的栅电极。所述栅电极包括直接设置在所述栅极介电层上的原位掺杂的半导体层；以及直接设置在所述原位掺杂的半导体层上的含金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 宽带 半导体 功率 器件 原位 掺杂 电极 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种宽带隙半导体功率器件，其包括：宽带隙半导体衬底层；设置在所述宽带隙半导体衬底层上的外延半导体层；直接设置在所述外延半导体层的一部分上的栅极介电层；以及直接设置在所述栅极介电层上的栅电极，其中，所述栅电极包括：直接设置在所述栅极介电层上的原位掺杂的半导体层；以及直接设置在所述原位掺杂的半导体层上的含金属层。
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