[发明专利]自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器有效
| 申请号： | 201780011944.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108701721B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;G11B5/39;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁化 反转 元件 及其 制造 方法 磁阻 效应 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋流磁化反转元件，其特征在于，具备：第一铁磁性金属层，其磁化方向可变；以及自旋轨道转矩配线，其与所述第一铁磁性金属层接合，且沿着相对于所述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸，所述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，且在与所述第一铁磁性金属层接合的第一面和位于其相反侧的第二面之间，所述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
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