[发明专利]氧化物烧结体及氧化物透明导电膜有效
| 申请号： | 201780012335.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN108698932B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 秋池良;土田裕也;仓持豪人 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C04B35/01 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国山口县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能够得到在宽波长域的范围内显示更低的光吸收特性，且低电阻的氧化物透明导电膜的氧化物烧结体、及氧化物透明导电膜。一种氧化物烧结体，具有铟、铪、钽及氧作为构成元素，其中，使用在将铟、铪及钽分别用In、Hf及Ta表示时，以原子比计Hf/(In+Hf+Ta)为0.2～3.0at％，Ta/(In+Hf+Ta)为0.02～1.3at％的氧化物烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 透明 导电 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物烧结体，具有铟、铪、钽及氧作为构成元素，其特征在于，在将铟、铪及钽分别用In、Hf及Ta表示时，以原子比计Hf/(In+Hf+Ta)为0.2～3.0at％，Ta/(In+Hf+Ta)为0.02～1.3at％。
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