[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

本发明的实施方式的半导体装置的制造方法包含：工序(C)，在栅极绝缘层上，形成多个薄膜晶体管的氧化物半导体层；工序(F)，在层间绝缘层，形成位于有源区域与多个端子部之间并且贯通层间绝缘层的开口部；以及工序(G)，在工序(F)之后，在层间绝缘层上形成上部导电部。在工序(C)中，在栅极绝缘层的位于有源区域与多个端子部之间的区域上形成保护层，保护层与氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成。在工序(F)中，开口部以与保护层重叠的方式形成。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，上述半导体装置具备：基板；多个第1薄膜晶体管，其支撑于上述基板；层间绝缘层，其覆盖上述多个第1薄膜晶体管；以及多个端子部，其将上述多个第1薄膜晶体管与对应的外部配线电连接，各自包含设置在上述层间绝缘层上的上部导电部，上述半导体装置具有：有源区域，其设置有上述多个第1薄膜晶体管；以及周边区域，其位于上述有源区域的周边，设置有上述多个端子部，上述半导体装置的制造方法的特征在于，包含：工序(A)，在上述基板上，形成上述多个第1薄膜晶体管的栅极电极；工序(B)，形成覆盖上述栅极电极的栅极绝缘层；工序(C)，在上述栅极绝缘层上，形成上述多个薄膜晶体管的氧化物半导体层；工序(D)，形成上述多个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极；工序(E)，形成覆盖上述多个薄膜晶体管的上述层间绝缘层；工序(F)，在上述层间绝缘层，形成位于上述有源区域与上述多个端子部之间并且贯通上述层间绝缘层的开口部；以及工序(G)，在上述工序(F)之后，在上述层间绝缘层上形成上述上部导电部，在上述工序(C)中，在上述栅极绝缘层的位于上述有源区域与上述多个端子部之间的区域上形成保护层，上述保护层与上述氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，在上述工序(F)中，上述开口部以与上述保护层重叠的方式形成。