[发明专利]包括掺杂的半导体材料的晶粒的太阳能电池和该太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201780012399.7 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN108701551B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 亨里克·林德斯特伦 | 申请(专利权)人: | 领英操作系统公司 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括多孔绝缘基材(2),配置在多孔绝缘基材的相对侧上的第一多孔导电层(4)和第二多孔导电层(6),与第一导电层电接触的光吸收层(8),和电解质,所述电解质通过多孔导电层、多孔绝缘基材和光吸收层整体地定位,以在第二导电层和光吸收层之间转移电荷载流子。光吸收层(8)包括掺杂的半导体材料的多个晶粒(10)。 | ||
搜索关键词: | 包括 掺杂 半导体材料 晶粒 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其包括:‑多孔绝缘基材(2),‑配置在所述多孔绝缘基材的相对侧上的第一多孔导电层(4)和第二多孔导电层(6),‑与所述第一导电层电接触的光吸收层(8),和‑电解质,所述电解质通过多孔导电层、所述多孔绝缘基材和所述光吸收层整体地定位,以在所述第二导电层和所述光吸收层之间转移电荷载流子,其特征在于,所述光吸收层(8)包括掺杂的半导体材料的多个晶粒(10)。
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