[发明专利]在低温和常压下制备合成锂蒙脱石的方法有效
| 申请号： | 201780012596.9 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108712999B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 金钟勋;李悌均 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;张云志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温/常压制备合成锂蒙脱石的方法以及使用该方法制备的合成锂蒙脱石，更具体地，提供一种在低温和常压下制备合成锂蒙脱石的方法以及使用所述方法制备的合成锂蒙脱石：通过引入形成沉淀的步骤和形成Li‑Mg沉淀时使用弱碱性催化剂，可以在低温/常压条件下进行结晶反应；可以减少反应时间；可以制备具有优异的主要应用性能的合成锂蒙脱石；并且通过控制反应物的组成比可以容易地控制这些性能。 | ||
| 搜索关键词： | 温和 压下 制备 合成 锂蒙脱石 方法 | ||
【主权项】：
1.一种合成锂蒙脱石的制备方法，该制备方法包括如下步骤：1)制备包含锂(Li)前体、氟(F)前体和镁(Mg)前体的前体溶液混合物；2)将碱性催化剂添加到所述前体溶液混合物中并且形成Li‑Mg沉淀；以及3)将硅(Si)前体添加到所述Li‑Mg沉淀中并且进行结晶反应，其中，所述碱性催化剂为强碱和弱碱的混合物。
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