[发明专利]经注入的光致抗蚀剂的剥离处理方法有效
| 申请号： | 201780013042.0 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108701586B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘维华;康俊彦;维贾伊·M·瓦尼亚普拉;哈伊-奥·M·潘-武;马绍铭 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/47;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种在例如离子注入之后从衬底去除光致抗蚀剂的方法。在一个示例性实现中，方法可以包括将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在本体光致抗蚀剂上形成的硬壳。方法可以包括在处理室中开始第一剥离处理。方法可以包括在第一剥离处理期间使用与等离子体相关联的光发射信号。方法可以包括至少部分地基于光发射信号来识别第一剥离处理的终点。方法可以包括至少部分地基于终点来终止第一剥离处理。方法可以包括开始第二剥离处理以从衬底去除光致抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 光致抗蚀剂 剥离 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从衬底去除光致抗蚀剂的方法，包括：将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在所述本体光致抗蚀剂上形成的硬壳；在所述处理室中开始第一剥离处理；在所述第一剥离处理期间使用与等离子体相关联的光发射信号；至少部分地基于所述光发射信号来识别与所述硬壳的至少一部分的去除相关联的终点；至少部分地基于所述终点来终止所述第一剥离处理；以及开始第二次剥离处理以从所述衬底去除所述光致抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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