[发明专利]用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器有效
| 申请号： | 201780013164.X | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108780810B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | Y·张;S·P·彭德哈卡;P·L·霍沃;S·吉姆班科;F·马里诺;S·斯瑞达 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在所描述的示例中，一种集成电路芯片(102)包括双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)和电平移位器(108)，该双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)具有经耦合以接收输入信号(IN)的N‑栅极(G |
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| 搜索关键词： | 用于 双模 功率 器件 集成 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路芯片即IC芯片，其包括：双模态功率N‑P横向扩散金属氧化物半导体器件即双模态功率N‑P‑LDMOS器件，所述N‑P‑LDMOS器件的N‑栅极经耦合以接收输入信号；和电平移位器，其经耦合以接收所述输入信号，并且将控制信号提供到所述N‑P‑LDMOS器件的P‑栅极驱动器。
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