[发明专利]用于半导体结构的支撑件有效
| 申请号： | 201780013336.3 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109155276B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·菲盖;O·科农丘克;K·阿拉萨德;G·费雷罗;V·罗列尔;克里斯泰勒·维蒂佐;T·叶霍扬 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司;里昂第一大学;国家科研中心 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;王万影 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，该支撑件在基础衬底(3)上包括电荷俘获层(2)。俘获层(2)由多晶主层(2a)和插在主层(2a)内或主层(2a)与基础衬底(3)之间的至少一个中间多晶层(2b)构成，所述至少一个中间多晶层由硅碳合金或碳组成，中间层(2b)的电阻率高于1000ohm.cm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体结构的支撑件(1)，该支撑件包括被设置在基础衬底(3)上的电荷俘获层(2)，其特征在于，所述俘获层(2)由多晶主层(2a)和插在所述主层(2a)内或所述主层(2a)与所述基础衬底(3)之间的至少一个中间层(2b)构成，所述至少一个中间层由硅碳合金或碳组成，所述中间层(2b)具有大于1000ohm.cm的电阻率。
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