[发明专利]含氧化物半导体层的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201780013390.8 | 申请日： | 2017-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108780817B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 越智元隆;西山功兵;后藤裕史;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn和Sn，所述氧化物半导体层中，各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为In：20～45原子％、Ga：5～20原子％、Zn：30～60原子％、和Sn：9～25原子％。
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