[发明专利]制造纳米棒的方法以及通过该方法制造的纳米棒有效
| 申请号： | 201780013987.2 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108701710B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 都永洛;成演国 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L29/41;H01L21/3063;H01L21/205;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了制造纳米棒的方法。制造纳米棒的方法包括以下步骤：提供生长衬底和支承衬底；在生长衬底的一面上使纳米材料层外延生长；在支承衬底的一面上形成牺牲层；使纳米材料层与牺牲层结合；从纳米材料层分离生长衬底；使纳米材料层平坦化；对纳米材料层进行蚀刻以形成纳米棒；以及去除牺牲层以分离出纳米棒。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 方法 以及 通过 | ||
【主权项】：
1.制造纳米棒的方法，包括以下步骤：提供生长衬底和支承衬底；在所述生长衬底的一面上使纳米材料层外延生长；在所述支承衬底的一面上形成牺牲层；将所述纳米材料层与所述牺牲层结合；从所述纳米材料层分离所述生长衬底；对所述纳米材料层进行平坦化；对所述纳米材料层进行蚀刻以形成纳米棒；以及去除所述牺牲层以分离出所述纳米棒。
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