[发明专利]氧化物半导体化合物、具备氧化物半导体化合物的层的半导体元件和层叠体在审
| 申请号： | 201780014378.9 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109075205A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 细野秀雄;神谷利夫;云见日出也;金正焕;中村伸宏;渡边晓;宫川直通 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京工业大学;AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01B1/08;H01B5/14;H01L21/336;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体 霍尔 半导体元件 光学带隙 层叠体 迁移率 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔测定得到的电子的霍尔迁移率为3cm2/Vs以上。
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