[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780014469.2 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108701480B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 黑川义元 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C11/405 | 分类号： | G11C11/405;G06F12/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是缩小能够执行模拟数据的算术处理的半导体装置的电路规模。在该半导体装置中，存储单元生成对应于第一模拟数据的第一电流并生成对应于第一模拟数据及第二模拟数据的第二电流。参考用存储单元生成对应于参考数据的参考电流。第一电路在第一电流小于参考电流的情况下生成对应于第一电流与参考电流之差分的第三电流并保持第三电流。第二电路在第一电流大于参考电流的情况下生成对应于第一电流与参考电流之差分的第四电流并保持第四电流。第一电路和第二电路中的一个生成对应于第三模拟数据的第五电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：存储单元、参考用存储单元、第一电路以及第二电路，其中，所述存储单元生成对应于第一模拟数据的第一电流并生成对应于所述第一模拟数据及第二模拟数据的第二电流，所述参考用存储单元生成对应于参考数据的参考电流，所述第一电路在所述第一电流小于所述参考电流时生成并保持对应于所述第一电流与所述参考电流之差分的第三电流，所述第二电路在所述第一电流大于所述参考电流时生成并保持对应于所述第一电流与所述参考电流之差分的第四电流，并且，所述第一电路和所述第二电路中的一个从所述第三电流和所述第四电流中的一个及所述第二电流生成对应于第三模拟数据的第五电流。
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