[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201780014556.8 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108780818B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H05B33/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;葛臻翼 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的绝缘膜；所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及所述氧化物半导体膜上的一对电极，其中，所述氧化物半导体膜包括：第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；以及所述第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜、所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，所述第二氧化物半导体膜包括其结晶性比所述第一氧化物半导体膜和所述第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。
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