[发明专利]光源装置在审

专利信息
申请号: 201780015232.6 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN108779897A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 春日井秀纪;深草雅春;古贺稔浩;长崎纯久;山中一彦 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: F21K9/20 分类号: F21K9/20;F21K9/64;F21S41/16;F21S41/20;F21W102/13;F21W107/10;F21Y115/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 光源装置(100),具备:半导体发光元件(101);聚光光学系统(102),对从半导体发光元件(101)射出的激励光(121)进行聚光;以及波长转换元件(103),由激励光(121)照射,波长转换元件(103),具备:主光线(122)入射的第一波长转换区域(111);以及第二波长转换区域(112),被配置在第一波长转换区域(111)的周边,主光线(122)以外的激励光(121)入射到第二波长转换区域(112),第二波长转换区域(112)的波长转换效率,比第一波长转换区域(111)的波长转换效率低。
搜索关键词: 波长转换区域 激励光 半导体发光元件 波长转换效率 波长转换元件 光源装置 主光线 入射 聚光光学系统 聚光 射出 照射 配置
【主权项】:
1.一种光源装置,具备:半导体发光元件;聚光光学系统,对从所述半导体发光元件射出的激励光进行聚光;以及波长转换元件,具备波长转换部,由所述激励光照射,对所述激励光的至少一部分进行波长转换,射出波长转换后的光,所述波长转换元件,具备:第一波长转换区域,包括所述波长转换部的一部分,所述激励光之中的由所述聚光光学系统聚光的主光线入射到所述第一波长转换区域;以及第二波长转换区域,包括所述波长转换部的所述一部分以外的部分,被配置在所述第一波长转换区域的周边,所述主光线以外的所述激励光入射到所述第二波长转换区域,所述第二波长转换区域的波长转换效率,比所述第一波长转换区域的波长转换效率低。
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